공부하기/반도체 (2) 썸네일형 리스트형 [반도체 #02] NAND FLASH 의 동작 원리 FLASH MEMORY 는 비휘발성 메모리의 일종으로, 우리가 흔히 사용하는 USB, SD 카드, PC 의 저장장치와 같은 메모리 소자를 예로 들 수 있습니다. '비휘발성' 이라는 점은 전원이 Off 되어도 데이터가 보존된다는 점에서 DRAM, SRAM 과 같은 휘발성 메모리인 RAM 과 차이가 있습니다. NAND FLASH는 각각의 셀이 직렬로 연결되어 있어 각 셀에서 순차적으로 데이터를 읽어내는 방식을 취합니다. 이에 따라 데이터 Write 속도가 빠르고 셀들을 수직으로 배열하기 때문에 좁은 면적에 다수의 셀을 배열할 수 있어 대용량으로 만들 수 있다는 장점을 가집니다. 반면에, 데이터 Read 속도는 직렬로 연결된 셀에서 데이터를 순차적으로 찾아서 읽기 때문에 느립니다. FLASH MEMORY 의 .. [반도체 #01] MOSFET과 MOSFET 동작 원리 MOSFET 은 무엇인가? 먼저 MOSFET 이란 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 의 약자로 한글로는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 정도로 풀이 가능합니다. MOSFET 의 구조와 동작원리 MOSFET 은 위 그림과 같은 구조를 가지고 있습니다. Metal Gate 에 Vth (Threshold Voltage, 문턱 전압) 이상의 전압을 인가하면 P-type 의 substrate 표면에 N-type 의 채널이 형성됩니다. 이 채널을 통해 Source 와 Drain 사이에서 전자의 이동이 발생합니다. 채널이 N 형인지 P 형인지에 따라 NMOS 또는 PMOS 로 구분되기도 합니다. 위 그림에서 Gate 와 Source 사이의 전압을.. 이전 1 다음
